Depuis le mois d’avril, certaines rumeurs annoncent des smartphones haut de gamme pour la fin de l’année embarquant 3 Go de mémoire vive. Les rumeurs portaient jusqu’ici sur le LG G2, le Samsung Galaxy Note 3 et le Xiaomi Mi3. Jusqu’à présent, c’était techniquement difficile, car la place dévolue à la RAM est limitée. Impossible de mettre une seconde puce de 1 Go dans un smartphone aux côtés de la puce de 2 Go utilisés par tous les équipementiers. Comment concilier les deux ? Samsung vient d’y répondre très officiellement.
Rappelez-vous : Samsung n’est pas seulement un constructeur de smartphone et de télévision, il produit également des chipsets et des puces informatiques (notamment sa gamme Exynos). Cette division composant, qui travaille encore pour Apple à l’heure qu’il est, vient de dévoiler sa nouvelle puce de RAM. Celle-ci contient 3 Go d’espace, répartis en 6 puces de 0,5 Go chacune. Ces six puces, gravées en 20 nm, sont réparties en deux lignes distinctes pour adresser chacune un canal de transfert de données. Comme les chipsets Exynos, ces puces de RAM sont basées sur une architecture symétrique.
Évidemment, plus de mémoire veut dire plus de capacités en multitâche sur les mobiles et les tablettes, plus de réactivité dans les opérations lourdes (comme les jeux en 3D ou le décodage de vidéo Full HD) et plus de vélocité durant les téléchargements. Samsung parle même d’un bénéfice sur LTE-Advance.
Le vice-président de Samsung chargé des ventes et du marketing de ces composants confirment que ces composants arriveront dans des mobiles sur le second semestre 2013, et non pas l’année prochaine. LTE-Advance… Second semestre… Voilà deux informations qui nous rappellent étrangement le Galaxy Note 3, toujours prévu pour septembre prochain. Pas vous ?
