Dans les semiconducteurs, Samsung dispose d’une avance technologique certaine. Il maîtrise au niveau industriel la finesse de gravure en 14 nm FinFET (une gravure en 3D plus efficace et moins gourmande que les gravures planes), alors que son concurrent principal, TSMC, commence à peine à implanter le 16 nm FinFET sur ses lignes de production.
Finesse de gravure : jusqu'où ira Samsung ?
Cette avance technologique a eu plusieurs conséquences heureuses pour la branche dédiée de Samsung. D’abord, il a acquis un nouveau client : Qualcomm. Ensuite il a renoué avec Apple pour la fabrication des chipsets A9. Et cette activité est devenue en fin d’année dernière le premier apporteur d’affaires dans les comptes du groupe Samsung Electronics. En outre, le chipset du Galaxy S6 pourrait être gravé en 14 nm FinFET. Et cela n’est évidemment pas fini.
Vers le 10 nm en 2017 ?
Participant à la conférence ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), la grande messe hivernale du semi-conducteur qui a eu lieu cette semaine à San Francisco, Ki-Nam Kim, le patron de Samsung Semiconductor, a pris la parole lors d’une plénière suivie par les agences Reuters et Nikkei, pour informer l’assemblée sur l’avancée de son groupe. Première information, Samsung travaille activement sur l’évolution de ses processus industriels. À savoir affiner encore la gravure des composants que l’entreprise produit. Elle devrait atteindre dans les deux années à venir les 10 nm, toujours en FinFET. Ce qui promet encore une augmentation des performances et une baisse de la consommation d’énergie.
Vers l'infiniment petit... et au-delà !
Et ce n’est évidemment pas fini puisque Samsung aurait déjà son objectif suivant en ligne de mire. Durant cette même conférence, le patron de la division composants avoue qu’une gravure en 5 nm à moyen terme n’est pas impossible, compte tenu de la technologie appliquée. Il n’y aurait pas de difficulté particulière, explique-t-il. Au moins jusqu’au 5 nm. Après, les choses se corseraient. Mais il évoque la possibilité d’atteindre, sur un plus long terme, les 3,25 nm en travaillant non pas sur le processus de fabrication, mais sur le matériau utilisé.
À titre de comparaison, cette finesse est quatre fois plus précise que celle appliquée aujourd’hui au niveau industriel. Et évidemment, cette miniaturisation impliquera une amélioration des performances des composants. Voilà qui est prometteur pour nos futurs smartphones.
