Qualcomm semble prépare activement le lancement de son nouveau chipset haut de gamme, le Snapdragon 835. Ce chipset, gravé en 10 nm FinFET chez Samsung (exclusivement), n’a pas encore été totalement dévoilé par le fondeur californien. Mais quelques fuites et des passages sur les bancs de test usuels permettent de dresser un portrait plutôt cohérent du chipset malgré l’absence de détails officiels. Nous avons en effet croisé le composant sur GFXBench il y a quelques jours, révélant que le Snapdragon 835 serait un octo-core. Et le voici de nouveau sur AnTuTu.
Un meilleur score que l'A10 Fusion d'Apple ?
Un visuel présentant un histogramme a été publié sur le compte Weibo du benchmark. Il a depuis été retiré, mais le site Android Pure a eu la bonne idée de faire une sauvegarde pour la postérité. Cet histogramme présenterait le score détaillé, point par point, d’un test réalisé avec une plate-forme prototype pour le Snapdragon 835. Ce qui est crédible : Qualcomm développe régulièrement des plates-formes de référence qui servent ensuite à réaliser des tests et à faire des démonstrations. Il s'agirait donc de l'une d'elles.
Le score de cette plate-forme est de 181 434 points, ce qui est de loin le meilleur jamais réalisé sur AnTuTu. Il est supérieur à celui de l’iPhone 7 et son chipset A10 Fusion (lequel frôle les 180 000 sans jamais les dépasser). Nous pouvons voir dans cet histogramme que l’essentiel des points a été acquis sur les tests graphiques et non sur les coeurs ou sur la RAM. Voilà qui démontre que l’Adreno 540 sera capable d’assumer les nouveaux usages de la mobilité, comme la réalité virtuelle telle que l’imagine Google.
Un chipset qui se dévoile petit à petit
Au sujet de la configuration de cette plate-forme de référence, elle est équipée d’un écran 2K de 5,9 pouces, d’un Snapdragon 835 (logique), de 4 Go de RAM, de 64 Go de stockage et d’Android 7.0 Nougat. Une configuration identique à celle qui a été croisée sur GFXBench. Elle devrait servir de base aux futurs produits sous Snapdragon 835. Les premiers terminaux équipés seraient le Mi 6 et le Galaxy S8. Rappelons que le Snapdragon 835 a également fait l'objet d'une fuite fin novembre. Celle-ci indiquait que de nouveaux coeurs Kryo seraient intégrés et elle confirmait la compatibilité du chipset avec de nouveaux formats de RAM et de puce de stockage. Un nouveau modem est également attendu pour des connexions LTE plus rapide encore.
